技术编号:6773402
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有存储器器件的非易失性半导体存储器器件,在该存储器器件中, 两个电极之间的电荷放电速度(rate)根据存储的信息的逻辑而不同。背景技术已知通过对位线施加预充电电压来读出放电速度的差的非易失性存储器器件。作为可以应用这样的读取方法的非易失性半导体存储器器件的代表性的例子,有 (快闪)EEPROM。另一方面,为了替代TO型(快闪)EEPR0M,作为能够以高速重写数据的非易失性存 储器器件,可变电阻型存储器器件已经弓丨起关注。作为可变电阻型存储器器件...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。