技术编号:6773508
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及信息存储,具体涉及一种对电阻存储器进行编程的电路,该编程是由低阻驱动到高阻,或者是由高阻驱动到低阻。背景技术目前主流的非挥发性存储器都是基于浮栅式MOS管单元结构。它通过在浮栅中写入或擦除电荷来改变MOS管的阈值电压,根据阈值电压的高低记忆信息。浮栅型存储器的概念最早由D. Kahng and S. Μ. Sze于1967年提出,基于此概念,半导体工业相继发展出 EPROM、EEPROM及目前主流的FLASH存储器。手机、mp3和各种移动电子产品...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。