技术编号:6773512
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器,尤其涉及一种基于添加了金属纳米层的二元氧化物固态电解液材料的。背景技术非挥发性存储器,它的主要特点是在不加电的情况下也能够长期保持存储的信息,它既有ROM的特点,又有很高的存取速度。随着多媒体应用、移动通信等对大容量、低功耗存储的需要,非挥发性存储器,特别是闪速存储器(Flash),所占半导体器件的市场份额变得越来越大,也越来越成为一种相当重要的存储器类型。当前市场上的非挥发性存储器以闪存(Flash)为主流,但是闪存器件存在操作电...
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