技术编号:6773834
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及可重读数据存储器及其写/读方法,而更详细地说,涉及采用通过控制施加在微尖电极头和存储基片之间的偏置电压而形成的碳素物质的可重写数据存储器及其写/读方法。常规的数据存储方法包括铁电材料极化方法、聚合物热转换方法、磁性材料相变方法、防耐材料相变方法、通过使金属或半导体氧化的相变方法等等,然而在写时间、数据保存等等方面有一些优点和缺点。这些常规方法中的某些方法不是可重写的,或者即使这些方法是可重写的,也有在记录媒体经历相变的写入/擦除周期期间损坏材料性...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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