技术编号:6773979
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非易失性存储器存储单元,尤其是一种非易失性存储器存储单元的读取方法。背景技术 目前,双位存储器存储单元是众所周知的技术。图1所示的NROM(氮化物只读存储器)10就是这类存储器存储单元的一种。如图1所示,在一导电层18和一通道20之间夹有一氮化物基片层16,其上储存有2个位区,位区12和位区14。关于NROM,在许多专利中都有描述,例如,美国专利号6,649,972,该专利已转让给本发明的共同受让人,其公开的内容结合于此申请中。位区12和位区...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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