技术编号：6774397
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。(一)发明领域本发明涉及半导体存储器，特别是涉及采用了以备用存储单元来置换不良的存储单元的冗余方式的半导体存储器。(二)现有技术迄今为止，在动态随机存取存储器(以下称为DRAM)那样的半导体存储器中，采用了以备用的行或列来置换不良的行或列的冗余方式。在半导体存储器中，设置了对与不良的行或列对应的地址信号进行编程用的多个熔断器，在晶片状态下使用激光使这些熔断器熔断。在输入了由多个熔断器进行了编程的地址信号的情况下，选择备用的行或列来代替不良的行或列。因而，按...
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