技术编号:6775082
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储装置,且具体言之,涉及一种控制用于存储组(bank)中的列译码器的主体偏压的技术,其中,大量断开漏电流(off-leakagecurrent)出现于该列译码器中。背景技术 因为动态随机存取存储(DRAM)装置采用其每一个由一晶体管及一电容器建构的存储单元,所以其具有优于其它存储装置的极大集成性的优点。另外,因为已遵照最近的高速要求提出了各种技术,所以DRAM装置在操作速度方面已有进步。因此,已开发出一种即使在低电压下仍具有先进驱动能...
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