技术编号:6775110
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种自旋注入磁随机存取存储器,其使用自旋极化电子执行磁化反转。背景技术 近年来,已经作出许多努力来将采用隧道磁阻(TMR)效应的磁阻元件施加到磁随机存取存储器(MRAM)。近年来,已经获得这样的磁阻元件,它的表示磁阻变化率的磁阻(MR)比率为大于等于230%,并且MR比率对电压的依赖性已经被抑制。这增加了将磁随机存取存储器应用于实际的可能性。当磁阻元件用作磁随机存取存储器的存储元件时,将其间夹有隧道势垒层的两个铁磁性层中的一个用作磁化方向固定的磁...
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