技术编号：6775171
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般关于半导体存储器元件，尤其是关于允许每一个单元有多个比特的半导体存储器元件。现有技术带-带(BTB)PHINES存储器单元为每一个单元可以储存两比特的一种存储器单元。一比特可以储存在晶体管的源极端，而另一比特可以储存在晶体管的漏极端。在这些存储器单元中，每一比特可以具有两种状态一种为高电流状态，以逻辑“1”表示，一种为低电流状态，以逻辑“0”表示。借助于检测通过单元的电流及决定此电流是否高于或低于一临界值，以读取存储器单元的每一端。编程及读取BT...
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