技术编号:6775366
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体存储器设备,尤其涉及相变存储器设备。背景技术 相变随机存取存储器(PRAM)也称为Ovonic统一存储器(OUM),包含诸如硫族化物合金之类的相变材料,该材料能够根据能量(例如,热能)从而在晶态和非晶态之间稳定的转换。这样的PRAM被公开在例如美国专利第6487113号以及第6480438号中。PRAM的相变材料在其晶态时表现出相对较低的电阻值,而在其非晶态时表现出相对较高的电阻值。在惯用的术语表中,低阻值晶态被称作“置位(set)”状...
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