技术编号：6775623
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储器件；尤其涉及一种用于检测半导体存储器件中的数据线的缺陷的装置。背景技术 动态随机存取存储器(DRAM)是一种典型的半导体存储器件，它与外部时钟(CLK)同步地输入和输出数据。由于要求DRAM每单位时间处理更多数据，因此DRAM的外部时钟频率也增加。DRAM的内部电路变得更加多样和复杂。因此，当生产设计的存储器件时，缺陷分析比以往更加困难。术语“缺陷”表示写入的数据没有从存储器中被正常地读取出来。数据可能由于各种原因而异常地输出，包...
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