技术编号:6775680
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路装置,特别涉及具有对数据进行存储的多个存储单元的半导体集成电路装置。在磁随机存储装置(MRAM)中,具有TMR(隧道磁阻TunnelingMagneto Resistive)效应的TMR元件包含在存储单元中。MRAM具有排列在位线以及数字线的交叉部分的多个存储单元。TMR元件是以磁性薄膜夹持隧道氧化膜的结构,在上下的磁性薄膜的磁矩方向为平行状态下电阻值最小,在反向平行的状态下电阻值最大。存储单元使上下的磁性薄膜的磁矩方向为平行或者反...
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