技术编号：6775740
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件，更具体而言，涉及一种包括鳍型沟道区的非易失性存储器件以及所述非易失性存储器件的操作方法。背景技术 人们要求半导体组件的体积不断变小，所处理的数据量不断增大。因此，人们在研究提高非易失性存储器件的工作速度和集成程度的方法。例如，在采用鳍型场效应晶体管(鳍型FET)提高了集成度的半导体器件中，可以通过扩大沟道面积提高工作速度，同时，可以通过降低鳍的宽度提高集成度。此外，鳍型FET可以利用绝缘体上硅(SOI)衬底增强短沟道效应。例如，D...
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