技术编号:6775924
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术 相变存储器是一种利用材料之间根据相变的电阻差异的存储器,并且是下一代存储器半导体中的一种,该下一代存储器半导体具有闪存的即使不通电其内存储的信息也不会被擦除的优点,而且还具有动态随机存取存储器(DRAM)的虽然不通电时其内存储的数据会被擦除但是处理速度很快的优点。该相变存储器的存取速度比闪存的存取速度快至少1000倍,闪存是非易失存储器的代表并且与DRAM一样能够在不超过2至5V的低电压下运行。而且,与静态随机存储器(SRAM)一...
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