技术编号：6777601
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种微电子的材料，具体是一种用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料。背景技术相变存储器技术的基本原理是利用相变薄膜材料作为存储介质，相变薄膜在 非晶态和晶态时电阻率有很大的差异，采用编程的电脉冲可以使相变薄膜在非晶 态和晶态之间可逆的转换，从而使相变存储单元在高阻和低阻之间可逆的转变。 而且存储单元的状态是非易失性的，即当设置为任意一个状态时，即使切断电源， 存储单元仍保持为该状态的电阻值，除非重新设置存储单元的状态。存储单元由 电介质材料定...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。