技术编号:6777781
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁存储器,更具体地说,涉及在其中可以以阵列存储由磁畴表示的每个数据位并使用磁畴运动的磁存储器。背景技术 磁随机存取存储器(MRAM)是一种非易失性磁存储器。MRAM是使用基于超微磁材料(nano magnetic material)的旋转依赖导电特征(spin-dependent conduction characteristic)的磁阻效应的一种新型固态磁存储器。也就是,MRAM使用旋转所产生的大磁致电阻(giant magnetoresist...
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