技术编号:6777835
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明为 一种相变化存储器的驱动方法与系统,特别是一种相变化存储 器写入的驱动方法与系统。背景技术随着可携式应用产品的成长,使得非易失性存储器的需求有日渐增加的趋势,相变化存储器(Phase Change Memory, PCM )由于具有速度、功率、 容量、可靠度、制造集成度、以及成本等具竟争力的特性,已被视为下一世 代最具有潜力的非易失性存储器技术。PCM存储器主要是利用某些材料在特 定的电流脉冲下会具有快速且可逆的相变化效应,进而导致材料在某些特性 ...
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