技术编号:6777859
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体存储器领域,更具体地说,涉及用于读出电阻性存储单元的电路和方法。背景技术 电阻性存储单元是可写存储元件,例如可重写存储元件,它可被编程为具有高阻抗状态或低阻抗状态。使用特定类型电阻性存储单元的半导体存储器的一个实例是导电桥接随机存取存储器(CBRAM)。为了确定电阻性存储单元的阻抗状态,常规作法是将被读位线预充电到读出电压,并使用电压源作为参考电压。与被读位线上的电阻性存储单元相关联的字线然后被激活。如果存储单元已被编程为具有高电阻状态...
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