技术编号：6778164
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术目前，闪存(Flash)已经成为非挥发性存储器的主流，根据结构不同， 闪存可分为或非闪存(NORFlash)和与非闪存(NANDFlash)两种。其中， 或非闪存因为读取速度快，适合于手机或主板等需要记录系统编码的应用。 而与非闪存因为高密度及高写入速度，特别适合多媒体资料存储。尤其近几 年，与非闪存几乎以保持每年密度加倍的速度演进。最新一代的与非闪存技 术已达每晶粒(die)可以存储32Gb的高容量水平。而从工艺上来说，闪存可 分为...
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