技术编号:6778223
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储元件,该存储元件由存储层和磁化固定层构成,其中,存储层可以存储铁磁性层的磁化状态作为信息,磁化固定层具有固定的磁化方向,在该存储元件中,使电流沿垂直于膜表面的方向流动,以注入自旋极化电子,从而改变存储层的磁化方向;本发明还涉及一种包括存储元件的存储器,该存储器适合用作非易失性存储器(non-volatile memory)。背景技术 高速和高密度的DRAM已广泛用作诸如计算机的信息设备中的随机存取存储器。然而,由于DRAM是易失性存储器(...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。