技术编号:6778311
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及由以相变为基础的存储材料所构成的的高密度存储元件,该存储材料包括以硫族化物为基础的材料与其它材料。本发明也涉及用以制造这种元件的方法。背景技术 以相变为基础的存储材料被广泛地运用于读写光盘中。这些材料包括至少两种固态相,例如包括大体上为非晶态的固态相,以及大体上为晶态的固态相。激光脉冲用于读写光盘,以在两种相中切换,并读取此种材料在相变之后的光学性质。如硫族化物及类似材料的相变存储材料,也可以通过施加幅度适用于集成电路的电流,而致使晶相变化。一般...
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