技术编号：6778351
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过对磁阻膜提供检测电流来检测磁力的磁阻元件。背景技术 通过利用巨磁阻效应(GMR)，磁器件尤其是磁头的性能有明显改善。尤其是对磁头、MRAM(Magnetic Random Access Memories，磁随机存取存储器)等应用自旋阀膜(SV膜)，在磁器件领域带来了巨大的技术进步。“旋阀膜”是包括非磁性间隔层介于两层铁磁层之间这种结构的多层膜，该多层膜结构其发生阻抗变化的部分称为自旋相依散射单元。两层铁磁层其中一层(称为“被固定层”、“磁化被...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。