技术编号:6778491
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁阻效应元件和所述磁阻效应元件的制造方法,所述磁阻效应元件用于磁盘驱动装置的读取元件和磁性存储器(MRAM)。技术背景日本专利公开公报No.2005-340715公开了包括磁阻效应元件的传统 磁盘驱动装置。所述磁盘驱动装置如图4所示。TMR元件10B用作磁阻 效应元件。在TMR元件10B中,依次层积阻挡层8、反铁磁性层5、磁 化固定层4、隧道阻挡层(阻挡层)3、磁化自由层(自由层)2和顶涂 层1。隧道阻挡层(阻挡层)3使磁化自由层(自由层)2与磁...
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