技术编号：6778655
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储器装置，而特别有关于一种相变化存储单元结构及 其制造方法。背景技术相变化存储器具有非挥发性、高读取信号、高密度、高擦写次数以及低 工作电压/电流的特质，是相当有潜力的非挥发性存储器。其中提高存储密度、 降低电流密度是重要的技术指针。相变化材料至少可呈现两种固态相，包括结晶态及非结晶态， 一般系利 用温度的改变来进行两态间的转换。与结晶态相较，由于非结晶态混乱的原 子排列而具有较高的电阻，因此通过简单的电性量测即可轻易区分出相变化 材料的结...
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