技术编号:6778865
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体的操作方法,且特别是有关于一种VI族元 素化合物存储单元的操作方法。背景技术可电写入及可电抹除的相变(phase change)材料在常用于记忆体元件结构状态为一般结晶^^-^;M吉晶状的部秩序其中r"i&结晶状态是一^N) (phase),在此一位相中材料的原子A/或电子形成重复的栅状结构。反之,一般 非结晶状态的原子及/或电子是随机分布。而此一结构状态可在一局部秩序 的可察觉的结构状态范围中进行转换,此范围是在极端完整的...
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