技术编号:6779190
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及亚阈值工作区域下的存储单元,尤其是一种高密度,高鲁棒性的亚阈值存 储单元电路。它可以工作在200mV的电源电压下,兼具高密度,高鲁棒性,超低功耗等 特点。 背景技术存储单元阵列是现代数字系统的重要组成部分,也往往是系统设计的功耗瓶颈。市场对各种便携式设备需求的不断提高对存储单元阵列的降低功耗技术提出了更高的要求。亚 阈值设计是当前超低功耗设计的热门。通过降低电源电压(Vdd)进入电路的亚阈值区域 ——Vdd小于阈值电压(Vth),使得系统工作在电...
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