技术编号：6779546
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及存储器设备的领域，更具体地说，涉及闪存的寿命 终止预测。背景技术闪存提供了非易失性存储器，其中闪存块(其包括多个位置)可通过 闪速操作擦除。闪存包括单元，所述单元是用于存储信息的浮栅晶体管的 阵列。传统上，每个单元中可以存储一位信息。但是，某些闪存设备(例 如多单元存储器"i殳备)可以在每个单元中存储多个位。闪存单元中存在的两种Z/^知类型的电路是NAND和NOR。目前，闪存受限于其有限的擦写周期次数。当前的闪存无法通知用户 将要达到或已经...
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