技术编号：6779622
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于基于多层单元("MLC")的内存装置，且特别是有关于用以 读取MLC式内存装置的技术。背景技术已知的闪存单元储存一浮置栅构造或其它电荷储存构造上的电荷。内储 电荷改变此内存单元的阈值电压(Vth)。在一读取动作中， 一读取电压被施加 至此内存单元的4册极，而此内存单元是否导通(例如传导电流)，或者所传导的 电流量，表示此内存单元的编程状态。举例而言，在读取动作期间传导相当高电流的一内存单元可能被指定"r的数字数值，而在读取动作期间传导非常 小...
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