技术编号:6779812
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基于多阶单元(multi-level cell, MLC)的一种存储元 件,更确切地说,本发明涉及一种用以编程与读取基于MLC的存储 元件的技术。背景技术公知闪速存储单元在浮栅上储存电荷,该已储存的电荷改变存储 单元的临界电压(Vth)。在一读取操作中,施加读取电压至存储单元 的栅极,流过单元的电压指示该存储单元的编程状态,举例来说,在 一读取操作期间流过一第一电流值的存储单元可设定为'T'的数位 值,在一读取操作期间流过一第二电流值的存储单元可...
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