技术编号：6780226
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术，特别涉及一种阻抗存储器制作方法以及一种阻抗存 储器。背景技术作为一种速度快、存储密度高、成本低、制造简单且与半导体制造技术中的互补金 属氧化物半导体(CM0Q等制作工艺兼容良好的新型存储技术，新一代非易失性存储器阻 抗存储器(RRAM)受到了越来越多的关注。阻抗存储器主要由上电极、下电极以及位于上下电极之间的可变电阻金属氧化层 三部分组成。其中，核心部分是具有两种电阻状态的可变电阻金属氧化层。若向该可变电 阻金属氧化层施加一定方向...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。