在一个单元中具有多个并联的沟槽电容器的多端口存储器的制作方法技术资料下载

技术编号:6780876

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本发明涉及半导体集成电路,更具体地涉及包括动态随^取存储器("DRAM")的集成电路,该动态随M取存储器具有多个端口并且包括 沟槽存储器。背景技术在诸如静态随M取存储器("SRAM")和DRAM的集成电路存储器 中,传统上,每个存储单元或"存储器单元"具有仅仅一个用于对存储于其 中的数据位提供读和写存取(access)的端口。然而,有些类型的SRAM 和DRAM具有这样的存储器单元,其中每个存储器单元包括多个端口, 用于同时提供读和/或写存取。例如,在双端...
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