技术编号:6781331
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及一种用于相变存储器存储单元的低应力多级读取的方法 和一种多级相变存储器设备。背景技术众所周知,相变存储器使用一种具有在具有不同电特性的两个相位之间切换的性 质的材料,所述两个相位与材料的两种不同晶体结构相关非晶形的、无序的相位、以及结 晶的或多晶的、有序的相位。因此这两个相位与相当不同的值的电阻率相关。目前,可以在相变存储器存储单元中有利地使用诸如Te或Se等周期表第VI族元 素的合金,该合金称为硫族化物或硫族元素材料。目前最有前途的硫...
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