技术编号:6781395
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关存储器系统,特别涉及一种闪存系统及方法,其中一种新的基准单元结构,以及在软程序和软程序校验操作期间独特的参考电压的应用,本发明能消除将基准存储单元修正至低阈值电压所引起的问题,并能加强消除的核心单元阈值电压分布,且能对更快速的编程次数有所助益。背景技术 闪存是一种电子存储介质,不需电力即可重复写入并保持其内容。一般闪存装置的寿命大约介于100K至1MEG的写入次数。和动态随机存取存储器(DRAM)以及静态随机存取存储器(SRAM)存储器芯片所不同...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。