技术编号：6781451
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。因此，本发明提供一种电压基准电路，该电压基准电路响 应于第一非易失性存储器(NVM)晶体管的编程的阈值电压提供单端 的基准电压。起初，通过与第一NVM晶体管共用浮栅的隧穿电容器 对第一 NVM晶体管的阈值电压编程。由薄氧化物层将该浮栅与隧穿 电容器的编程端(即共同连接的源/漏区)分离。通过对隧穿电容器的 编程端施加编程电压对第一 NVM晶体管的阈值电压编程，从而引发6穿过薄氧化物层的Fowler-Nordheim隧穿。图4是附图说明图1的CMOS浮栅电压基...
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