技术编号:6782101
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储元件,其包括用于存储铁f兹层的磁化状态 的存储层和具有固定的磁化方向的磁化固定层,其中,存储层的磁 化方向随电流的流动而改变。本发明还涉及一种包括这种存储元件 的存储器,该存储元件适用于非易失性存储器。背景技术可高速操作的高密度DRAM已被用作诸如计算机的信息设备 中的随机存取存储器。然而,DRAM是当电源断开时其中的信息会消失的易失性存储 器。因此,需要其中的信息不会消失的非易失性存储器。此外,作为非易失性存储器的候选,基于磁性材料的磁...
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