技术编号:6782231
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种具有单一位元线的存储器单元,特别是有关于一种 存储器单元接收可变电压源以避免数据写入错误。背景技术图1是显示传统具有五晶体管的静态随机存取存储器(Static Random Access Memory, SRAM) 100。开关101为NMOS晶体管,NMOS晶体管101 根据字元线信号WL导通或不导通以传送位元线信号BL至存储单元110,存 储单元110是一闩锁电路有两反相器交叉耦接所组成的,第一反相器包括 NMOS晶体管102和PMO...
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