技术编号：6782279
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件，尤其涉及一种有效用于具有由静态 降低技术的^效技术。、 、" J > 、、；"背景技术作为在静态型存储单元的源极线上设置电位控制电路，存储单元 在待机时通过上述电位控制电路把源极电位作为中间电位来减低泄漏电流的例子，有日本特开2004-206745号公报。另外，作为在存 储单元的电源线或接地线中的一方设置追加MOSFET，存储单元在待 机状态时形成反映构成存储单元的交叉反馈电路的MOSFET的阈值 电压变动的一方或者双方的偏...
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