技术编号:6782533
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明系关于采用相变化存储材料的高密度存储装置,其包含硫 属化物元素以其它可编程的电阻材料。本发明亦揭露制作该种装置的 方法。背景技术以相变化为基础的存储材料已经广泛地运用于可擦写光盘片中。 这些材料具有至少两种固态相,包括如一大致为非晶态的固态相,以 及一大致上为结晶态的固态相。读写光盘片是利用激光脉冲,以在二 种相态之间切换,同时读取材料经过相变化转换之后的光学性质。硫属化物或其它相似材料的相变化存储器材料,亦可通过集成电 路施以适当强度的电流,来改变...
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