技术编号：6783147
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于驱动基于具有绝缘膜电荷存储层的晶体管型存 储单元的非易失性半导体存储器件的方法。背景技术随着近来持续缩减尺度的发展，具有浮栅的NAND闪速存储器 引起由于浮栅本身的厚度而引起的相邻存储单元之间的显著干扰的 问题以及在单元之间掩埋绝缘膜的困难。为了避免浮栅闪速存储器特有的这类问题，(例如JP-A 2005-011490(Kokai)和美国专利申请公开No. 2005/0006698 )提出了所 谓的MONOS闪速存储器。"MONOS"是"金属氧...
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