技术编号：6783187
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是主张2007年10月18日提出的美国临时申请案60/980,793号(其发明名称为「硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)型与非门闪存的高效能擦除法」)为优先权，该申请案的所有内容被纳入本文作为参考。 本发明是属于存储器的，特别是关于可用以擦除具有介电电荷捕捉结构的电荷捕捉存储单元的方法。背景技术闪存是属于一种非易失性存储器。传统上，闪存多使用浮动栅极存储单元，其是将电荷储存在介于晶体管通道与栅极间的导电层上。储存的电荷会影响晶体管的阈值电压...
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