改进的三维只读存储器的制作方法技术资料下载

技术编号:6783404

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本发明涉及集成电路领域,更确切地说,涉及三维只读存储器。背景技术三维集成电路(简称为3D-IC)将一个或多个三维集成电路层(简称为3D-IC层)在垂 直于衬底的方向上相互叠置在衬底上.3D-IC层由非单晶(即多晶或非晶)半导体材料构成, 它可具有逻辑、存储、模拟等功能。对于具有逻辑和模拟功能的3D-IC层来说,它们对缺陷 较敏感.由于非单晶半导体材料的缺陷密度较大,故这类3D-IC的成品率不高。同时,逻辑 和模拟功能功耗较高,它们的三维集成面临较大的散热问...
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