技术编号：6784032
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电可重写非易失性存储器和数据读出方法，更具体地，涉及用于补偿存储器单元电流的温度依赖性的技术。背景技术 随着半导体集成电路器件的不断的小型化，连线的宽度和厚度变得更小，连线电阻变得更高。例如，在半导体存储器器件中，随着连线的不断小型化，位线的电阻变得更高。通常，用于感应和放大从存储器单元读出的数据的传感放大器被连接到位线。在数据读操作中，如果需要在预置的读周期tb1将位线的电位改变ΔVb1并位线电容值被设置为Cb1，存储器单元电流在传感放大器附近...
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