技术编号:6784619
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本专利所属为半导体参数信息处理领域,主要涉及半导体器件参数的提取。关于金属一氧化物一半导体场效应晶体管的主要参数沟道载流子迁移率及阈值电压的主要现有检测技术(一).电流线性外推方法在漏极电压较小的情况下(≤100mv),得到栅压与漏电流的线性关系,其直线外推之截距为阈值电压,而斜率为相关载流子迁移率。(见D.K.Schroder,“Semiconductor Material and Device characterization”,Wiley-Inter...
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