技术编号：6784662
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。高速、高频半导体器件要求浅射极结，同时也要求基极宽度小，按常规做法会产生如图一(1)所示的锐角，工作时该锐角部分的电流极易集中，而造成一般半导体器件失效；另外，因基极宽度小，从射极注入的电流不能被充分扩展，并在该电流到达集电极时，造成该集电极局部电力的损耗，而使高速、高频半导体器件的温度大幅提升，助长了热力点的形成，更限制了高速、高频半导体器件的安全工作范围。因此，如图一(2)，图一(3)所示，必须增加半导体晶粒的尺寸来满足要求，也就是满足高速、高频半导体...
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