技术编号：6784706
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体生长领域，尤其涉及一种。背景技术 磷化铟及其化合物半导体由于其光吸收谱波长、电路速度和功耗方面的优势，在长波长光纤通信领域具有巨大的应用前景。生长可用于长波长光纤通信的电器件(例如异质结双极晶体管(HBT))和光电器件中所用的高质量磷化铟及其化合物半导体是该系列材料应用于这一领域的基础。例如，在HBT器件的生长过程中，为了提高基区的掺杂浓度，可采用低温生长整个器件的方法。由于HBT器件的收集区和发射区都各自具有高n型掺杂层，而通常作为n型掺...
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