技术编号:6784726
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,该方法可得到抛光半导体晶片的改良纳米位相。此类半导体晶片适用于半导体工业,尤其适用于电子元件的制作。背景技术 预定适用于制作线宽低于或等于0.1微米的电子元件的半导体晶片必须具有许多特定性能。其中最重要的一个性能为公知的半导体晶片纳米位相。“国际半导体设备及材料”(SEMI)对“纳米位相”(nanotopology)或“纳米构形”(nanotopography)一词的定义是整个晶片正面(前表面)的平坦度偏差在空间波长0.2至20毫米(侧面相...
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