技术编号:6784754
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种太阳电池的制备方法,特别是一种,用于半导体。背景技术 过去的几年中,基于非晶硅和晶体硅构成的异质结太阳电池获得突破性的进步,这类电池具有高效、低成本的优势,极有可能成为晶体硅太阳电池的更新换代产品,实现市场的推广,生产体状晶体硅太阳电池时,为形成pn结所需要的一道重要工序高温扩散,将在异质结太阳电池生产中被省略。新型非晶硅和晶体硅构成的异质结太阳电池具有结构简单、工艺过程少等特点,它将晶体硅具有的高载流子迁移率优点与低温化学汽相沉积非晶硅...
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