技术编号：6784781
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种异质半导体结构(该结构具有包含硅-锗混合晶体的SOI(绝缘层上的硅)结构)以低成本高生产率制造所述半导体结构的方法。背景技术 近年来，利用所谓应变硅技术来实施MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)集成电路的高速操作的方法已引起注意。所述应变硅技术是通过使用晶格常数大于通常的晶格常数的应变层，来提高MOSFET沟道部分中载流子(电子或空穴)的迁移率。举例来说，如日本专利JP-A6-252046中所述，曾建议了许多在适当硅层的邻接配置硅-锗...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。