技术编号:6784890
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在半导体器件制造的光刻工序中使用的形成下层防反射膜的组合物、和一种使用该形成下层防反射膜的组合物的光致抗蚀剂图形的形成方法。更详细地说,涉及一种用于形成可用光致抗蚀剂的显影中使用的碱性显影液进行显影的下层防反射膜的形成下层防反射膜的组合物。另外,涉及一种使用该形成下层防反射膜的组合物的、通过对光致抗蚀剂和下层防反射膜同时显影来进行的光致抗蚀剂图形的形成方法。背景技术 在半导体器件的制造中,通过使用光致抗蚀剂的光刻进行微细加工。微细加工是,通过...
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