技术编号:6785124
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及LED芯片领域,尤其涉及的是一种LED以及侧壁图形化的LED芯片。背景技术氮化镓基LED芯片发光层在2 Ji的角度内发光,由于氮化镓的折射率与空气的折射率相差很大,参见图1,平面结构的LED芯片I侧壁结构由于内部的界面反射和材料本身吸收的损耗,造成大部分光无法穿越LED芯片侧壁与空气的界面,仅有一部分光可以从芯片内部发射出来,出光效率很低。当光线在LED芯片侧壁与空气界面处的入射角大于全反射临界角时,则发生全反射现象,这是光线无法穿越界面而发...
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